Tag - Wafer-Level-Capping

Die Grundidee der Wafer-Level-Capping-Technologie basiert auf der Herstellung einer Kappenstruktur auf einem Verbundwafer, der aus zwei vorübergehend miteinander verbundenen Wafern besteht.

Ein Wafer dient als Trägerwafer, während der andere Wafer durch Prozesse wie Siliziumausdünnung, Silizium-Trockenätzung, Abscheidung und Strukturierung von Polymer- oder Metallbondrahmen und optionales teilweises Vordicing behandelt wird, um beliebig geformte und getrennte Kappenstrukturen zu bilden.

Auf diese Weise verwandelt sich der ursprüngliche Verbundwafer in einen Trägerwafer mit vereinzelten, mit der Oberseite nach oben montierten Kappenstrukturen. Größe, Form, Lage und Abstand der Kappenstrukturen stimmen mit den Bauelementen auf dem entsprechenden Zielwafer überein, auf den die Kappen geklebt werden sollen.

Der so vorbereitete Cap-Donor-Wafer wird nun in einem Wafer-to-Wafer-Bonding-Prozess verwendet, um alle Cap-Strukturen parallel an den gewünschten Positionen auf dem Zielwafer auszurichten und zu bonden. Das Wafer-Bonding-Verfahren nutzt Hitze, Druck und definierte Vakuumbedingungen, um die Dichtungsrahmen der Kappen dauerhaft mit der Oberfläche des Gerätewafers zu verbinden.