Prof. Dr.-Ing. Ulrike Ganesh studierte Elektrotechnik von 1999 bis 2005 an der Technischen Universität Berlin und promovierte dort in Kooperation mit Credence Systems DCG (Kalifornien, USA) zum Thema »Investigation of Laser Voltage Probing Signals in CMOS Transistors«. Sie erhielt hierfür 2008 den Doktortitel mit höchster Auszeichnung (summa cum laude).
Ihre wissenschaftliche Laufbahn führte sie von 2008 bis 2010 ans IHP Frankfurt/Oder und von 2010 bis 2012 als Postdoc bei IBM in New York. Anschließend arbeitete sie in der Fehleranalyse bei Qualcomm in San Diego. Ab 2016 sammelte sie umfangreiche Management-Erfahrungen in der Chipentwicklung für die Automobilindustrie bei Robert Bosch, bevor sie 2020 zur Bundesanstalt für Materialforschung und -prüfung wechselte und dort die Abteilung »Zerstörungsfreie Prüfung« leitete.
Seit August 2024 gehört Prof. Ganesh gemeinsam mit Prof. Martin Schneider-Ramelow zur Doppelspitze der Institutsleitung am Fraunhofer IZM und ist renommierte Expertin im Bereich Charakterisierung und Fehleranalyse hochentwickelter Halbleitertechnologien.
3D-Integration 5G 6G Antennen Autonomes Fahren Batterietechnologie Bio-Elektronik Chiplets Digitaler Zwilling Drahtlose Kommunikation Electronic Packaging Elektronische Textilien Embedding Energielabel Flip-Chip Funksensoren Grey-Box-Modellierung Halbleiter Hardwaresicherheit Hetero-Integration Hochleistungscomputer IKT Implantate Industrie 4.0 Internet der Dinge Kreislaufwirtschaft Künstliche Intelligenz Laserschweißen Lebenszyklusanalysen für Elektronik Leistungselektronik Maschinelles Lernen Medizintechnik Nachhaltige Elektronik Photonisch Integrierte Schaltungen Quantum Technologien Radar Sensorik Wafer-Level-Capping Wafer-Level-Packaging Wissenschaftskommunikation Zirkuläres Design Zuverlässigkeit Öko-Design elektronischer Produkte
